P&TECH Co., Ltd.

LP-CVD

光伏电池业务

低压化学气相沉积炉

LP-CVD

硅片

  • 硅片尺寸 182 ~ 220mm

炉管

  • 炉管数量 最多 6 管

设备容量

  • 单管装载量 2880 wafer/tube

工艺气体

  • 工艺技术 N2, O2, SiH4, PH3

进料系统

  • 晶舟进料方式 悬臂式
  • 桨叶材质 SiC 桨叶

加热器

  • 等温区长度 ≥2800mm
  • 温度范围 500 ~ 700°C

硬件性能

  • 控温稳定性 ≤±0.5°C
  • 硅片破损率 ≤0.01%

工艺性能

  • 均匀性 ≤±5%
  • 内建开路电压 (iVoC) ≥735mV

合作伙伴

  • 主要客户 LONGi Solar, Chint, JA Solar, KIER REC Solar, SPIC Solar, GCL, LG Solar