P&TECH Co., Ltd.

PECVD

光伏电池业务

等离子体增强化学气相沉积炉

PECVD

硅片

  • 硅片尺寸 182 ~ 220mm

炉管

  • 炉管数量 最多 6 管

设备容量

  • 单管装载量 760 wafer/tube

工艺气体

  • 镀膜工艺 N2, SiH4, NH3, N2O

进料系统

  • 晶舟进料方式 软 landing 方式
  • 桨叶材质 SiC 桨叶

加热器

  • 等温区长度 ≥2800mm
  • 温度范围 200 ~ 500°C

硬件性能

  • 控温稳定性 ≤±0.5°C
  • 硅片破损率 ≤0.01%

工艺性能

  • 氮化硅 Moore 厚度均匀性 ≤±5%
  • 折射率稳定性 ≤±1.5%

合作伙伴

  • 主要客户 LG Solar, KIER, GCL, Hanwha Q-CELL, JA Solar