Semiconductor
Ultra High Temp Oxidation
半导体扩散炉业务
超高温氧化炉
设备型号
- 型号名称 PF-UHTO61
晶圆
- 晶圆尺寸 6inch (up to 8inch)
设备容量
- 晶圆装载量 50~80
加热器
- 加热器材质 Super Kanthal
反应腔
- 炉管与晶舟材质 SiC
设备性能
- 等温区 大于 350mm
- 控温稳定性 小于 ±1.0°C
- 气体流量精度 小于 ±1.0%
- 氧化层厚度均匀性 小于 ±2.0%
硬件规格
- 最高温度 1600°C
- 工艺温度范围 800 ~ 1500°C
- 升温速率 30°C/min
- 晶圆装载 全自动
- 工艺气体 N2, O2, L-O2, DCE