Semiconductor
Ultra High Temp Anneal
半导体扩散炉业务
超高温退火炉
设备型号
- 型号名称 PF-UHTA61
晶圆
- 晶圆尺寸 6inch (up to 8inch)
设备容量
- 晶圆装载量 50~80
加热器
- 加热器材质 金属钨
- 加热腔结构 真空密封
- 加热器绝缘 多层绝缘
- 水循环系统 覆盖整个加热腔
- 氩气吹扫系统 加热器与炉管内部
反应腔
- 炉管与晶舟材质 石墨
设备性能
- 等温区 大于 350mm
- 控温稳定性 小于 ±1.0°C
- 气体流量精度 小于 ±1.0%
- 方阻均匀性 小于 ±2.0%
硬件规格
- 最高温度 2200°C
- 工艺温度范围 800 ~ 2100°C
- 升温速率 50°C/min
- 晶圆装载 全自动
- 工艺气体 N2, Ar (optional H2)
- 晶圆进出料温度 RT ~ 400°C
- 压力范围 atm ~ 5E-3 torr